信息存储应用技术
  • 三维存储器的失效分析方法与流程
    本发明涉及半导体制造,尤其涉及一种三维存储器的失效分析方法。随着平面型闪存存储器的发展,半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年,平面型闪存的发展遇到了各种挑战:物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下,为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的...
  • 一种防止高压烧焊垫的测试方法与流程
    本发明涉及一种芯片测试方法,特别是涉及一种防止高压烧焊垫的测试方法。在嵌入式FLASH芯片的测试中,需要对FLASH芯片上的电荷泵(PUMP)电压进行调整(TRIMMING),使所有被测芯片的PUMP电压能够保持在规格范围内。如图1所示,图1显示为现有技术中的对芯片上电荷泵电压测试的示意图...
  • 一种多级存储单元闪存的ECC多码率编解码系统及方法与流程
    本发明属于数据存储,具体涉及一种多级存储单元闪存的ECC多码率编解码系统及方法。随着互联网大数据时代的迅速发展,不管是拍照、电影、电视剧、还是游戏,数据量越来越大。在这样的大环境下,对于硬盘容量的容量将是前所未有的巨大挑战。之前的传统机械硬盘即使可以解决容量的问题,可是速度很慢,体积很大,...
  • 用于提高存储器可靠性的存储系统及其存储器管理方法与流程
    本申请要求于2017年12月4日提交的申请号为10-2017-0165333的韩国专利优先权,该申请通过引用整体并入本文。本公开的实施例涉及一种存储系统,并且更具体地,涉及一种用于在同时调节数据带宽时提高存储元件的可靠性的存储系统以及用于该存储系统的存储器管理方法。存储器件对于被配...
  • 使用端口对端口环回来提供DRAM系统的存储器训练以及相关方法、系统和装置与流程
    优先权要求本申请要求于2014年1月24日提交且题为“SYSTEMSANDMETHODSFORTRAININGMEMORY(用于训练存储器的系统和方法)”的美国临时专利申请S/N.61/930,980的优先权,该申请通过援引全部纳入于此。本申请还要求于2015年1月5日提交且题为“PRO...
  • 用于提高数据可靠性的非易失性存储器件及其操作方法与流程
    该申请要求2017年12月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0166196的优先权,其公开内容通过引用整体结合于此。本公开涉及非易失性存储器件。更具体地,本公开涉及用于提高数据可靠性的非易失性存储器件及其操作方法。作为一种类型的半导体存储器件,非易失性存储...
  • 一种存储器擦除方法及装置与流程
    本发明实施例涉及半导体存储,尤其涉及一种存储器擦除方法及装置。在对非挥发性存储器(例如,NOR-FLASH)进行擦除(ERASE)操作时,不同的存储单元最终的阈值电压(ThresholdVoltage)会有区别,部分存储单元会有过擦除的现象,也就是阈值电压较低。在进行其它操作,例...
  • 一种存储器擦除方法及装置与流程
    本发明实施例涉及半导体存储,尤其涉及一种存储器擦除方法及装置。在对非挥发性存储器(例如,NOR-FLASH)进行擦除(ERASE)操作时,不同的存储单元最终的阈值电压(ThresholdVoltage)会有区别,部分存储单元会有过擦除的现象,也就是阈值电压较低。在进行其它操作,例...
  • NVM的可靠性提升装置和方法与流程
    本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种非易失存储器(Non-VolatileMemory,NVM)的可靠性提升装置。本发明还涉及一种NVM的可靠性提升方法。NVM的存储单元能存储信息且掉电后存储的信息会保留。NVM的存储单元的操作包括擦除、写入也即编程和读取,其中擦除和写入都需...
  • 半导体存储装置和半导体装置的制作方法
    相关专利申请本申请享受以日本专利申请2013-59126号(申请日:2013年3月21日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照这个基础申请而包含基础申请的全部内容。本发明的实施方式涉及半导体存储装置、控制器、和存储器系统。已知三维排列存储单元的NAND型闪存。发明内容提供一种能够提...
  • 一种存储器擦除方法及装置与流程
    本发明实施例涉及半导体存储,尤其涉及一种存储器擦除方法及装置。对非挥发性存储器(例如NOR-FALSH)中的存储单元往往存在两种操作,编程操作和擦除操作。现有的擦除操作具体包括:对存储单元进行擦除操作,将存储单元内的数据“0”,修改为数据“1”;进行过擦除验证操作,将擦除后的存储单...
  • 一种存储器擦除方法及装置与流程
    本发明实施例涉及半导体存储,尤其涉及一种存储器擦除方法及装置。在对非挥发性存储器(例如,NOR-FALSH)进行擦除(ERASE)操作时,不同的存储单元最终的阈值电压(ThresholdVoltage)会有区别,部分存储单元会有过擦除的现象,也就是阈值电压较低。在进行其它操作,例...
  • 数据编程方法及装置、存储器及存储介质与流程
    本发明涉及存储,尤其涉及一种数据编程方法及装置、存储器及存储介质。存储器为存储数据的器件。所述存储器包括存储阵列;所述存储阵列可为二维(2D)存储阵列或三维(3D)存储阵列。所述存储阵列由存储单元构成。阈值电压存储单元的可调节电压在已知电压范围内。在向所述存储单元写入数据时,通常根...
  • 半导体器件及其重新配置控制方法与流程
    于2017年12月5日提交的日本专利申请No.2017-233116的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。本发明涉及半导体器件及其重新配置控制方法,并且例如涉及基于配置信息执行重新配置的半导体器件及其重新配置控制方法。近年来,安装在包括MCU(微控制单元)等的半...
  • 一种存储器擦除方法及装置与流程
    本发明实施例涉及半导体存储,尤其涉及一种存储器擦除方法及装置。在对非挥发性存储器(例如,NOR-FALSH)进行擦除(ERASE)操作时,不同的存储单元最终的阈值电压(ThresholdVoltage)会有区别,部分存储单元会有过擦除的现象,也就是阈值电压较低。在进行其它操作,例...
  • 存储器装置及其操作方法与流程
    本申请要求于2017年12月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0165843的优先权,该申请的公开以引用方式全文并入本文中。本发明构思涉及一种存储器装置及其操作方法。随着对低功耗和高集成度存储器装置的需求增加,正在进行各种类型的下一代存储器装置的研究。正在...
  • 电阻式随机存取存储器装置及其写入与反向写入验证方法与流程
    本发明涉及一种电阻式存储器装置,尤其涉及一种电阻式随机存取存储器装置及其写入与反向写入验证方法。为了满足市场上的需求,电阻式随机存取存储器装置需具备体积小及大容量,并且进一步要求信息的储存速度快、功率消耗低及可靠性高。在电阻式随机存取记忆胞执行写入或反向写入的操作中,可以通过执行验证操作来...
  • 电阻式存储器装置及其操作方法与流程
    本发明涉及一种存储器装置及其操作方法,尤其涉及一种电阻式存储器装置及其操作方法。近年来电阻式存储器(诸如电阻式随机存取存储器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM))的发展极为快速,是目前最受瞩目的未来存储器的结构。由于电阻式存储器具备低功耗、高速运作、高...
  • 一种SRAM的辅助电路的制作方法
    本发明涉及集成电路,尤其涉及一种SRAM的辅助电路。存储器是集成电路中不可或缺的重要组成部分,静态随机存取存储器(StaticRandomAccessMemory,SRAM)作为存储器中读写速度较快的一种,一直是集成电路中研究的热点。SRAM主要用作高速缓存,...
  • 一种支持列选结构的亚阈值10管存储单元的制作方法
    本发明涉及一种存储单元,尤其是涉及一种支持列选结构的亚阈值10管存储单元。工艺技术的进步,使得晶体管的尺寸越来越小,芯片单位面积上集成的晶体管数目越来越多,导致芯片的功耗也越来越大。存储器作为芯片的重要组成部分之一,它的功耗消耗占据了整个芯片功耗的很大一部分。因此,降低存储器的功耗消耗可以...
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